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  • MOS管開關(guān)電路中,上拉電阻與下拉電阻的區(qū)別是什么
    • 發(fā)布時(shí)間:2024-12-17 18:23:48
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    MOS管開關(guān)電路中,上拉電阻與下拉電阻的區(qū)別是什么
    上拉電阻和下拉電阻,本質(zhì)上來講都是電阻在作用,之所以稱為上拉和下拉,只是它們的使用的場景不同。
    MOS管開關(guān)電路 上拉電阻 下拉電阻 區(qū)別MOS管開關(guān)電路 上拉電阻 下拉電阻 區(qū)別
    比如說,在實(shí)際電路中我們會經(jīng)常遇到器件輸出電壓幅度不足的情況,如果前級只能輸出0V-3V的電平,而后級系統(tǒng)需要一個(gè)0V-5V的高電平或者低電平,就可以利用上拉電阻,強(qiáng)制拉高前級的輸出電壓,但是這種方式只能夠?qū)㈦妷豪?V-5V之間。
    MOS管開關(guān)電路 上拉電阻 下拉電阻 區(qū)別
    MOS管開關(guān)電路 上拉電阻 下拉電阻 區(qū)別
    同樣,當(dāng)輸出低電平不夠低時(shí),可以利用下拉電阻將低電平拉低,至于能夠拉到多少電壓,取決于電阻的阻值。
    在MOS管的開關(guān)電源中,一般會在NMOS管上加一個(gè)下拉電阻,在PMOS管柵加一個(gè)上拉電阻,大概在10K左右。通常它起到這三個(gè)作用:
    MOS管開關(guān)電路 上拉電阻 下拉電阻 區(qū)別
    給MOS管柵極確定電平
    防止靜電擊穿
    提供放電路徑
    MOS管在上電的時(shí)候會有一段時(shí)間呈現(xiàn)高阻態(tài),在導(dǎo)通的情況下這種狀態(tài)是不受控制的,NMOS可能會受到高電頻干擾,PMOS會受到低電頻干擾,這很容易導(dǎo)致開關(guān)管被燒毀。
    這時(shí)增加電阻能夠讓柵極是一個(gè)確定的電平,不再是一個(gè)高阻態(tài)。也就是說MOS管在上電時(shí)會一直保持關(guān)閉狀態(tài),直到單片機(jī)控制它的開關(guān)。
    MOS管開關(guān)電路 上拉電阻 下拉電阻 區(qū)別
    此外,在呈現(xiàn)高阻態(tài)時(shí)容易積累一些靜電電荷,在一定程度時(shí)會在GS之間形成高電壓,MOS管容易擊穿并損壞,也需要電阻來進(jìn)行固定電平。
    提供放電路徑這個(gè)我們之前講過,原因是mos管的GS存在寄生電容,電阻在斷電時(shí)為寄生電容提供一個(gè)放電路徑。
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